آزمایشگاه مگنتوفوتونیک

98-021-29902695+ mphlab@sbu.ac.ir

منو

اندازه‌گیری ضریب مغناطوتنگش لایه نازک فریت کبالت به روش انحراف‌سنجی اپتیکی طرّه

سیزدهمین کنفرانس ماده چگال انجمن فیزیک ایران

 

جعفر جهانبخش۱؛ علی آفتابی۲، زهرا سادات عزیزی۱، محمدمهدی طهرانچی۱و۲

۱پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهيد بهشتی، تهران

۲دانشکده فيزيك، دانشگاه شهید بهشتی ،  ولنجک ، تهران

 با توجه به کاربرد گسترده لایه­های نازک با خاصیت مغناطوتنگشی در ساخت حسگرها، حافظه­های مغناطیسی، تولید وآشکارسازی امواج فراصوتی جهت به کارگیری در ردیاب­ها و تصویربرداری­های فراصوتی، مشخصه­یابی این لایه‌ها از اهمیت بسیاری برخوردار است. در این پژوهش روشی ساده و دقیق جهت اندازه­گیری ضریب مغناطوتنگش لایه­های نازک مغناطیسی ارائه شده است.برای این منظور،لایه‌ی نازک فریت کبالت، به عنوان یکی از پرکاربردترین مواد به کار گرفته شده در ساخت حسگرهای مغناطوکشسان، بر روی زیرلایه طره­ای شکل از جنس شیشه لایه­نشانی شد. به منظور اندازه‌گیری ضریب مغناطوتنگش از روش انحراف‌سنجی اپتیکی طرّه استفاده شد. در این روش طرّه در معرض میدان مغناطیسی خارجی قرار می ‌گیرد. به دلیل غیرمغناطیسی بودن زیرلایه و انبساط یا انقباض لایه مغناطسی با اعمال میدان مغناطیسی، طرّه از حالت اولیه خود منحرف می‌شود. با اندازه گیری مقدار این انحراف به روش اپتیکی ضریب مغناطوتنگش بدست می‌آید. این روش در مقایسه با سایر روش‌های به کارگرفته شده برای اندازه‌گیری ضریب مغناطوتنگش لایه­های نازک  آسان، کم هزینه و دقیق است.

اندازه‌گیری ضریب مغناطوتنگش لایه نازک فریت کبالت به روش انحراف‌سنجی اپتیکی طرّه

اندازه‌گیری ضریب مغناطوتنگش لایه نازک فریت کبالت به روش انحراف‌سنجی اپتیکی طرّه