اندازهگیری ضریب مغناطوتنگش لایه نازک فریت کبالت به روش انحرافسنجی اپتیکی طرّه
سیزدهمین کنفرانس ماده چگال انجمن فیزیک ایران
جعفر جهانبخش۱؛ علی آفتابی۲، زهرا سادات عزیزی۱، محمدمهدی طهرانچی۱و۲
۱پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، تهران
۲دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی ، ولنجک ، تهران
با توجه به کاربرد گسترده لایههای نازک با خاصیت مغناطوتنگشی در ساخت حسگرها، حافظههای مغناطیسی، تولید وآشکارسازی امواج فراصوتی جهت به کارگیری در ردیابها و تصویربرداریهای فراصوتی، مشخصهیابی این لایهها از اهمیت بسیاری برخوردار است. در این پژوهش روشی ساده و دقیق جهت اندازهگیری ضریب مغناطوتنگش لایههای نازک مغناطیسی ارائه شده است.برای این منظور،لایهی نازک فریت کبالت، به عنوان یکی از پرکاربردترین مواد به کار گرفته شده در ساخت حسگرهای مغناطوکشسان، بر روی زیرلایه طرهای شکل از جنس شیشه لایهنشانی شد. به منظور اندازهگیری ضریب مغناطوتنگش از روش انحرافسنجی اپتیکی طرّه استفاده شد. در این روش طرّه در معرض میدان مغناطیسی خارجی قرار می گیرد. به دلیل غیرمغناطیسی بودن زیرلایه و انبساط یا انقباض لایه مغناطسی با اعمال میدان مغناطیسی، طرّه از حالت اولیه خود منحرف میشود. با اندازه گیری مقدار این انحراف به روش اپتیکی ضریب مغناطوتنگش بدست میآید. این روش در مقایسه با سایر روشهای به کارگرفته شده برای اندازهگیری ضریب مغناطوتنگش لایههای نازک آسان، کم هزینه و دقیق است.
اندازهگیری ضریب مغناطوتنگش لایه نازک فریت کبالت به روش انحرافسنجی اپتیکی طرّه